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VS-C12ET07T-M3 Vishay Semiconductors



Hersteller: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers Si CARBIDE DIODE
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Technische Details VS-C12ET07T-M3 Vishay Semiconductors

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 12A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.65V, Max. forward impulse current: 80A, Kind of package: tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-C12ET07T-M3 VS-C12ET07T-M3 VISHAY vs-c12et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
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VS-C12ET07T-M3 vs-c12et07t-m3.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 80A
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