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VS-E7MH0112HM3/I

VS-E7MH0112HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-e7mh0112hm3.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details VS-E7MH0112HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
VS-E7MH0112HM3/I VS-E7MH0112HM3/I Vishay Semiconductors vs-e7mh0112hm3.pdf Rectifiers FREDS -SMA HYPERFAST RECTIFIER
auf Bestellung 8290 Stücke:
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers FREDS -SMA HYPERFAST RECTIFIER
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