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VS-E7MH0112HM3/I

VS-E7MH0112HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-e7mh0112hm3.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
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Technische Details VS-E7MH0112HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-E7MH0112HM3/I VS-E7MH0112HM3/I Vishay Semiconductors vs-e7mh0112hm3.pdf Rectifiers RECT 1.2KV 1A SM HYPER FST
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