VS-ETH1506-M3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-ETH1506-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 29 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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VS-ETH1506-M3 | Hersteller : Vishay |
 Diode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-ETH1506-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-ETH1506-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 29 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
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