VS-ETL0806-M3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-ETL0806-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 180 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote VS-ETL0806-M3 nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VS-ETL0806-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V |
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VS-ETL0806-M3 Produktcode: 126671
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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VS-ETL0806-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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