VS-ETL1506-1-M3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details VS-ETL1506-1-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 210 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-262-3, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote VS-ETL1506-1-M3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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VS-ETL1506-1-M3 | Hersteller : Vishay |
 Diode Switching 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-ETL1506-1-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-ETL1506-1-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 210 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-262-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
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