VS-FB180SA10P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
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Technische Details VS-FB180SA10P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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VS-FB180SA10P | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-FB180SA10P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 180 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 180 Verlustleistung Pd: 480 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 480 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 SVHC: To Be Advised |
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| VS-FB180SA10P |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-VS-FB190SA10
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| VS-FB180SA10P |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-FB180SA10P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 180 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 480
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - VS-FB180SA10P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 180 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 480
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
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