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| 80+ | 28.19 EUR |
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Technische Details VS-FC420SA10 Vishay
Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 435A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 652W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote VS-FC420SA10 nach Preis ab 22.19 EUR bis 37.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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VS-FC420SA10 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-FC420SA10 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 652W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-FC420SA10 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227 |
auf Bestellung 1156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-FC420SA10 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 435A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 652W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-FC420SA10 | Hersteller : Vishay |
SOT-227 Power Module |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-FC420SA10 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-FC420SA10 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| VS-FC420SA10 | Hersteller : VISHAY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 330A; SOT227B; screw; Idm: 1.13kA Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 330A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.3mΩ Pulsed drain current: 1.13kA Power dissipation: 652W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |