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Technische Details VS-FC420SA10 Vishay
Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 435A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 652W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 652W, SVHC: To Be Advised, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm.
Weitere Produktangebote VS-FC420SA10 nach Preis ab 23.17 EUR bis 41.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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VS-FC420SA10 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-FC420SA10 | Vishay Semiconductors |
MOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227 |
auf Bestellung 1156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-FC420SA10 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 652W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-FC420SA10 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 435A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 652W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 652W SVHC: To Be Advised Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm |
auf Bestellung 1473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VS-FC420SA10 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 29.19 EUR |
| VS-FC420SA10 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227
MOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 37.68 EUR |
| 10+ | 32.47 EUR |
| VS-FC420SA10 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 41.41 EUR |
| 10+ | 30.09 EUR |
| 100+ | 23.72 EUR |
| 500+ | 23.17 EUR |
| VS-FC420SA10 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 652W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 652W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 652W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 652W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)