VS-GT150TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 372 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 789 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
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Technische Details VS-GT150TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 372 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 789 W, Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA.
Weitere Produktangebote VS-GT150TS065S nach Preis ab 197 EUR bis 236.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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VS-GT150TS065S | Hersteller : Vishay Semiconductors |
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT |
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| VS-GT150TS065S | Hersteller : VISHAY |
VS-GT150TS065S IGBT modules |
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