VS-GT180DA120U Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-GT180DA120U Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 281A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: 1.087kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.087kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 281A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote VS-GT180DA120U nach Preis ab 48.32 EUR bis 69.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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VS-GT180DA120U | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 281 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1087 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V |
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VS-GT180DA120U | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 281A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: 1.087kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.087kW Bauform - Transistor: SOT-227 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 281A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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| VS-GT180DA120U | Hersteller : Vishay |
Insulated Gate Bipolar Module Transistor |
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