VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 281A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 67.23 EUR |
| 10+ | 50.52 EUR |
| 100+ | 46.79 EUR |
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Technische Details VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: 1.087kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.087kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 281A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: -, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 281A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote VS-GT180DA120U nach Preis ab 52.62 EUR bis 68.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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VS-GT180DA120U | Hersteller : Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr |
auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-GT180DA120U | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: 1.087kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.087kW Bauform - Transistor: SOT-227 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 281A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 281A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VS-GT180DA120U | Hersteller : Vishay |
Insulated Gate Bipolar Module Transistor |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |