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VS-GT180DA120U

VS-GT180DA120U Vishay Semiconductors


vs-gt180da120u.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
IGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
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Technische Details VS-GT180DA120U Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 281A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: 1.087kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.087kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 281A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VS-GT180DA120U VS-GT180DA120U Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt180da120u.pdf Description: IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
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VS-GT180DA120U VS-GT180DA120U Hersteller : VISHAY VISH-S-A0008918673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: 281A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: 1.087kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.087kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 281A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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VS-GT180DA120U Hersteller : Vishay vs-gt180da120u.pdf Insulated Gate Bipolar Module Transistor
auf Bestellung 150 Stücke:
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