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Technische Details VS-GT50LA65UF Vishay
Description: VISHAY - VS-GT50LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 59 A, 163 W, 175 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 59A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 163W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote VS-GT50LA65UF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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VS-GT50LA65UF | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-GT50LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 59 A, 163 W, 175 °C, SOT-227tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 59A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
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VS-GT50LA65UF | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 163 W Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA |
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