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VS-HFA16TB120PBF

VS-HFA16TB120PBF Vishay

hfa16tb120pbf.pdf
Produktcode: 60428
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220AC
Vrr, V: 1200
Iav, A: 16
Trr, ns: 30
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Anzahl Preis
1+2.6 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VS-HFA16TB120PBF VS-HFA16TB120PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16TB120%28PbF%2CN3%29.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
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VS-HFA16TB120PBF VS-HFA16TB120PBF Vishay Semiconductors VS-HFA16TB120%28PbF%2CN3%29.pdf Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-HFA16TB120-M3
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VS-HFA16TB120PBF VS-HFA16TB120%28PbF%2CN3%29.pdf
VS-HFA16TB120PBF
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
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VS-HFA16TB120PBF VS-HFA16TB120%28PbF%2CN3%29.pdf
VS-HFA16TB120PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-HFA16TB120-M3
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100 kOhm 5% 3W (MFR300SSJTB-100K-Hitano)
Produktcode: 55298
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MFRSS_series_20140707.pdf
100 kOhm 5% 3W (MFR300SSJTB-100K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 100 kOhm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±100ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4mm, DAusfuhr.=0,8mm
Typ: Metall-folien miniatur
-55...+155°C
verfügbar: 754 St.
120 St. - stock Köln
634 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.052 EUR
10+0.04 EUR
100+0.032 EUR
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IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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irfbg30pbf-datasheet.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 22580
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2SC2655.pdf
2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 2
h21: 240
ZCODE: THT
verfügbar: 337 St.
30 St. - stock Köln
307 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.13 EUR
10+0.11 EUR
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VCR-20D471K
Produktcode: 19396
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VCR-20D_081201.pdf
VCR-20D471K
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 300/385
S.var., V: 470(423-517)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 775@100
Imax.(8/20mcs): 6500
Leistung, Watt: 1,0
Kapazität, pF: 850
Größe: 20D
auf Bestellung 83 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 340 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 St.:
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.84 EUR
100+0.73 EUR
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