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VS-SC200FA120

VS-SC200FA120 Vishay


Hersteller: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Technische Details VS-SC200FA120 Vishay

Category: Diode modules, Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 200A; SOT227B; screw, Case: SOT227B, Features of semiconductor devices: Schottky, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 200A, Max. forward impulse current: 620A, Semiconductor structure: double independent, Type of semiconductor module: diode, Technology: SiC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
VS-SC200FA120 VISHAY vs-sc200fa120.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 200A; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 200A
Max. forward impulse current: 620A
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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VS-SC200FA120 vs-sc200fa120.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 200A; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 200A
Max. forward impulse current: 620A
Semiconductor structure: double independent
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
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