VS-SC80FA120

VS-SC80FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-sc80fa120.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD SIC 1200V 40A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+84.57 EUR
10+64.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details VS-SC80FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE MOD SIC 1200V 40A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V.

Weitere Produktangebote VS-SC80FA120 nach Preis ab 69.52 EUR bis 94.49 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
VS-SC80FA120 VS-SC80FA120 Hersteller : Vishay vs-sc80fa120.pdf SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 80 A
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+94.49 EUR
10+78.09 EUR
100+69.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-SC80FA120 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB8F80E562B6940DC&compId=vs-sc80fa120.pdf?ci_sign=9af7cd7127e74e656638960453daba6084484f74 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 80A; SOT227B; screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: screw
Technology: SiC
Load current: 80A
Max. forward impulse current: 260A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH