VSMY385010X01-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division
Hersteller: Vishay Semiconductor Opto DivisionDescription: HIGH SPEED INFRARED EMITTING DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Wavelength: 850nm (840nm ~ 870nm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Viewing Angle: 120°
Current - DC Forward (If) (Max): 70mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.5mW/sr @ 70mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 14+ | 1.28 EUR |
| 22+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
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Technische Details VSMY385010X01-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division
Description: VISHAY - VSMY385010X01-GS08 - Infrarot-Emitter, 850 nm, 60 °, PLCC, 12 mW/Sr, 7 ns, 6 ns, tariffCode: 85414100, Bauform - Diode: PLCC, Durchlassspannung Vf max.: 1.8V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Abfallzeit tf: 6ns, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Spitzenwellenlänge: 850nm, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Strahlungsintensität (Ie): 12mW/Sr, Halbwertswinkel: 60°, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50mA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Anstiegszeit: 7ns.
Weitere Produktangebote VSMY385010X01-GS08
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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VSMY385010X01-GS08 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VSMY385010X01-GS08 - Infrarot-Emitter, 850 nm, 60 °, PLCC, 12 mW/Sr, 7 ns, 6 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: PLCC Durchlassspannung Vf max.: 1.8V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 6ns MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 850nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 12mW/Sr Halbwertswinkel: 60° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Anstiegszeit: 7ns |
auf Bestellung 3804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VSMY385010X01-GS08 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VSMY385010X01-GS08 - Infrarot-Emitter, 850 nm, 60 °, PLCC, 12 mW/Sr, 7 ns, 6 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: PLCC Durchlassspannung Vf max.: 1.8V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 6ns MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 850nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 12mW/Sr Halbwertswinkel: 60° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Anstiegszeit: 7ns |
auf Bestellung 3804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VSMY385010X01-GS08 | Hersteller : Vishay |
High Speed Infrared Emitting Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VSMY385010X01-GS08 | Hersteller : Vishay Semiconductor Opto Division |
Description: HIGH SPEED INFRARED EMITTING DIO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, J-Lead Wavelength: 850nm (840nm ~ 870nm) Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V Viewing Angle: 120° Current - DC Forward (If) (Max): 70mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.5mW/sr @ 70mA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |