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VTVS12ASMF-M3-08

VTVS12ASMF-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

tf-vtvs12asmf-m3-08.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12.4VWM 20.1V DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 807pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.01A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.4V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
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Technische Details VTVS12ASMF-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: TVS DIODE 12.4VWM 20.1V DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Capacitance @ Frequency: 807pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.01A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.4V, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 14V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.1V, Power - Peak Pulse: 400W, Power Line Protection: No.

Weitere Produktangebote VTVS12ASMF-M3-08 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
VTVS12ASMF-M3-08 VTVS12ASMF-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tf-vtvs12asmf-m3-08.pdf Description: TVS DIODE 12.4VWM 20.1V DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 807pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.01A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.4V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
auf Bestellung 26582 Stücke:
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VTVS12ASMF-M3-08 VTVS12ASMF-M3-08 Vishay General Semiconductor tf-vtvs12asmf-m3-08.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1
auf Bestellung 14204 Stücke:
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500+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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VTVS12ASMF-M3-08 VTVS12ASMF-M3-08 Vishay Semiconductors tf-vtvs12asmf-m3-08.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1
auf Bestellung 13284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.09 EUR
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1000+0.31 EUR
3000+0.28 EUR
6000+0.25 EUR
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VTVS12ASMF-M3-08 VISHAY tf-vtvs12asmf-m3-08.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14V; 19A; unidirectional; DO219AB,SMF; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12.4V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Number of channels: 1
Capacitance: 810pF
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12.4VWM 20.1V DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 807pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.01A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.4V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
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Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14V; 19A; unidirectional; DO219AB,SMF; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12.4V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Number of channels: 1
Capacitance: 810pF
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