VTVS31ASMF-M3-08 Vishay General Semiconductor
Hersteller: Vishay General SemiconductorESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1
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Technische Details VTVS31ASMF-M3-08 Vishay General Semiconductor
Description: VISHAY - VTVS31ASMF-M3-08 - TVS-Diode, TRANSZORB VTVS, Unidirektional, 30.6 V, 51 V, DO-219AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 34.2V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 37.8V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 30.6V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 400W, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: TRANSZORB VTVS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 51V, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote VTVS31ASMF-M3-08 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.64 EUR
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VTVS31ASMF-M3-08 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
ESD Suppressors / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1 |
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VTVS31ASMF-M3-08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 30.6VWM 51VC DO219AB |
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VTVS31ASMF-M3-08 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VTVS31ASMF-M3-08 - TVS-Diode, TRANSZORB VTVS, Unidirektional, 30.6 V, 51 V, DO-219AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 34.2V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 37.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30.6V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB VTVS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 51V SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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| VTVS31ASMF-M3-08 | Hersteller : VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 400W; 34.2V; 7.51A; unidirectional; SMF; -55÷175°C; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 30.6V Breakdown voltage: 34.2V Max. forward impulse current: 7.51A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMF Mounting: SMD Leakage current: 50nA Application: general purpose Operating temperature: -55...175°C Number of channels: 1 Capacitance: 380pF Version: ESD |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VTVS31ASMF-M3-08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 30.6VWM 51VC DO219AB |
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