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VTVS40ASMF-HM3-08

VTVS40ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vtvs3v3asmf.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 39.6VWM 67VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 67V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 39.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.7A
Capacitance @ Frequency: 309pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
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Technische Details VTVS40ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: TVS DIODE 39.6VWM 67VC DO219AB, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 400W, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 67V, Voltage - Breakdown (Min): 44.7V, Unidirectional Channels: 1, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 39.6V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.7A, Capacitance @ Frequency: 309pF @ 1MHz, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Type: Zener, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
VTVS40ASMF-HM3-08 VTVS40ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor vtvs3v3asmf.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 28968 Stücke:
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5+0.65 EUR
10+0.41 EUR
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VTVS40ASMF-HM3-08 VTVS40ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vtvs3v3asmf.pdf Description: TVS DIODE 39.6VWM 67VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 67V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 39.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.7A
Capacitance @ Frequency: 309pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 29607 Stücke:
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38+0.47 EUR
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VTVS40ASMF-HM3-08 VTVS40ASMF-HM3-08 Vishay Semiconductors vtvs3v3asmf.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+5% AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 28968 Stücke:
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3+1.3 EUR
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1000+0.36 EUR
3000+0.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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VTVS40ASMF-HM3-08 VISHAY vtvs3v3asmf.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.7V; 5.7A; unidirectional; DO219AB,SMF; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 39.6V
Breakdown voltage: 44.7V
Max. forward impulse current: 5.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.31nF
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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VTVS40ASMF-HM3-08
Hersteller: Vishay General Semiconductor
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auf Bestellung 28968 Stücke:
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VTVS40ASMF-HM3-08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 39.6VWM 67VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 67V
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 39.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.7A
Capacitance @ Frequency: 309pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.7V; 5.7A; unidirectional; DO219AB,SMF; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 39.6V
Breakdown voltage: 44.7V
Max. forward impulse current: 5.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.31nF
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