VTVS58ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 57.6VWM 98VC DO219AB
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Technische Details VTVS58ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VTVS58ASMF-HM3-08 - TVS-Diode, TRANSZORB VTVS, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 64.6V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 71.4V, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 57.6V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 400W, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: TRANSZORB VTVS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 98V, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VTVS58ASMF-HM3-08 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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VTVS58ASMF-HM3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 57.6VWM 98VC DO219AB |
auf Bestellung 28532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VTVS58ASMF-HM3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VTVS58ASMF-HM3-08 - TVS-Diode, TRANSZORB VTVS, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 64.6V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 71.4V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 57.6V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB VTVS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 98V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 39126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| VTVS58ASMF-HM3-08 | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 0.4kW; 64.6V; 3.89A; unidirectional; DO219AB,SMF; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 57.6V Breakdown voltage: 64.6V Max. forward impulse current: 3.89A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO219AB; SMF Mounting: SMD Leakage current: 50nA Number of channels: 1 Capacitance: 245pF |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VTVS58ASMF-HM3-08 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 57.6VWM 98VC DO219AB
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 0.83 EUR |
| 27+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.34 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| VTVS58ASMF-HM3-08 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VTVS58ASMF-HM3-08 - TVS-Diode, TRANSZORB VTVS, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Durchbruchspannung, min.: 64.6V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 71.4V
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usEccn: EAR99
Sperrspannung: 57.6V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB VTVS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 98V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - VTVS58ASMF-HM3-08 - TVS-Diode, TRANSZORB VTVS, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Durchbruchspannung, min.: 64.6V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 71.4V
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usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB VTVS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 98V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VTVS58ASMF-HM3-08 |
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Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 64.6V; 3.89A; unidirectional; DO219AB,SMF; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 57.6V
Breakdown voltage: 64.6V
Max. forward impulse current: 3.89A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Number of channels: 1
Capacitance: 245pF
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 64.6V; 3.89A; unidirectional; DO219AB,SMF; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 57.6V
Breakdown voltage: 64.6V
Max. forward impulse current: 3.89A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO219AB; SMF
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Number of channels: 1
Capacitance: 245pF
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| 3000+ | 0.19 EUR |