VTVS58GSMF-HM3-08 Vishay Semiconductors
Hersteller: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 400W -/+30kV -/+2% AEC-Q101 Qualified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.54 EUR |
| 10+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| 3000+ | 0.63 EUR |
| 24000+ | 0.42 EUR |
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Technische Details VTVS58GSMF-HM3-08 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VTVS58GSMF-HM3-08 - TVS-Diode, TransZorb, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 66.64V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 69.36V, isCanonical: Y, Sperrspannung: 57.6V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Spitzenimpulsverlustleistung: 400W, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: TransZorb, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 98V.
Weitere Produktangebote VTVS58GSMF-HM3-08
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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VTVS58GSMF-HM3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VTVS58GSMF-HM3-08 - TVS-Diode, TransZorb, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 66.64V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 69.36V isCanonical: Y Sperrspannung: 57.6V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TransZorb productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 98V |
auf Bestellung 6187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VTVS58GSMF-HM3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - VTVS58GSMF-HM3-08 - TVS-Diode, TransZorb, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 66.64V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 69.36V isCanonical: N Sperrspannung: 57.6V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TransZorb productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 98V |
auf Bestellung 6187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VTVS58GSMF-HM3-08 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VTVS58GSMF-HM3-08 - TVS-Diode, TransZorb, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s)
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Bauform - Diode: DO-219AB
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 69.36V
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Sperrspannung: 57.6V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TransZorb
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 98V
Description: VISHAY - VTVS58GSMF-HM3-08 - TVS-Diode, TransZorb, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s)
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 98V
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| VTVS58GSMF-HM3-08 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VTVS58GSMF-HM3-08 - TVS-Diode, TransZorb, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s)
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Produktpalette: TransZorb
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 98V
Description: VISHAY - VTVS58GSMF-HM3-08 - TVS-Diode, TransZorb, Unidirektional, 57.6 V, 98 V, DO-219AB, 2 Pin(s)
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Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
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Produktpalette: TransZorb
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 98V
auf Bestellung 6187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)