Technische Details W949D2DBJX5E Winbond
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 16M x 32, Access Time: 5 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 200 MHz, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC), Memory Type: Volatile, Memory Size: 512Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 90-TFBGA, Packaging: Tray.
Weitere Produktangebote W949D2DBJX5E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| W949D2DBJX5E | Winbond |
 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| W949D2DBJX5E |
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Hersteller: Winbond
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)