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Technische Details W949D2DBJX5E Winbond
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-VFBGA (8x13), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5 ns, Memory Organization: 16M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote W949D2DBJX5E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| W949D2DBJX5E | Winbond |
 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
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| W949D2DBJX5E |
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Hersteller: Winbond
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
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