WG40N65DFJQ WEEN SEMICONDUCTORS
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFJQ - IGBT, 31 A, 1.5 V, 66 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 31A
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFJQ - IGBT, 31 A, 1.5 V, 66 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 31A
SVHC: To Be Advised
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Technische Details WG40N65DFJQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFJQ - IGBT, 31 A, 1.5 V, 66 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 31A, SVHC: To Be Advised.
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Verfügbarkeit |
Preis |
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| WG40N65DFJQ | Hersteller : Ween | WG40N65DFJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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WG40N65DFJQ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
 WeEn Semiconductors WG40N65DFJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
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| WG40N65DFJQ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 26W; SOT1293,TO3PF Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 26W Case: SOT1293; TO3PF Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 173nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |