Weitere Produktangebote WMJ18N50D1B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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WMJ18N50D1B | Hersteller : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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WMJ18N50D1B | Hersteller : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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| IRF740PBF Produktcode: 162988
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 752 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

