WMO08N65C4 Wayon Electronics Co.,Ltd.
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Technische Details WMO08N65C4 Wayon Electronics Co.,Ltd.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3.6A, Case: TO252, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 780mΩ, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 45W, Technology: WMOS™ C4, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 7.3nC, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote WMO08N65C4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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WMO08N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.6A Case: TO252 Polarisation: unipolar On-state resistance: 780mΩ Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 45W Technology: WMOS™ C4 Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.3nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD |
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| WMO08N65C4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 780mΩ
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Technology: WMOS™ C4
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 780mΩ
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Technology: WMOS™ C4
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