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WMO08N65C4 Wayon Electronics Co.,Ltd.


Hersteller: Wayon Electronics Co.,Ltd.
MOSFET N-Channel 650 V TO-252 Транзистори
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Technische Details WMO08N65C4 Wayon Electronics Co.,Ltd.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ C4, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3.6A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 45W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 780mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 7.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
WMO08N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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WMO08N65C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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