WNSC04650T6J WeEn Semiconductors
Hersteller: WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.59 EUR |
| 10+ | 3.20 EUR |
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| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 1.75 EUR |
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Technische Details WNSC04650T6J WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN, Kapazitive Gesamtladung: 7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote WNSC04650T6J nach Preis ab 1.84 EUR bis 3.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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WNSC04650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE |
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WNSC04650T6J | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
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WNSC04650T6J | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WNSC04650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| WNSC04650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DFN8x8N Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 24A Kind of package: reel; tape |
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