WNSC04650T6J WeEn Semiconductors
Hersteller: WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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Technische Details WNSC04650T6J WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: DFN8x8N, Kind of package: reel; tape, Max. forward impulse current: 24A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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WNSC04650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE |
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| WNSC04650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: DFN8x8N Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 24A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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WNSC04650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE |
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| WNSC04650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: DFN8x8N Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 24A |
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