WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors
Hersteller: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 9nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote WNSC2D06650DJ nach Preis ab 1.26 EUR bis 3.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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WNSC2D06650DJ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
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WNSC2D06650DJ | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| WNSC2D06650DJ | Hersteller : Ween |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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WNSC2D06650DJ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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WNSC2D06650DJ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 36A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 6A |
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