WNSC2D08650Q
Produktcode: 203152
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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Weitere Produktangebote WNSC2D08650Q nach Preis ab 1.54 EUR bis 4.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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WNSC2D08650Q | WeEn Semiconductors |
SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WNSC2D08650Q | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: NO Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WNSC2D08650Q | WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| WNSC2D08650Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.16 EUR |
| 10+ | 3.39 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| 2000+ | 2.05 EUR |
| 5000+ | 1.82 EUR |
| WNSC2D08650Q |
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Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 4.68 EUR |
| 95+ | 2.46 EUR |
| 116+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| WNSC2D08650Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.77 EUR |
| 50+ | 2.58 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.82 EUR |
| 2000+ | 1.81 EUR |