WNSC2D10650Q WeEn Semiconductors
Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.76 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
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Technische Details WNSC2D10650Q WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: NO, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote WNSC2D10650Q nach Preis ab 1.87 EUR bis 5.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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WNSC2D10650Q | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: NO Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WNSC2D10650Q | WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| WNSC2D10650Q |
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Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.88 EUR |
| 82+ | 2.86 EUR |
| 111+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.9 EUR |
| 1000+ | 1.87 EUR |
| WNSC2D10650Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.51 EUR |
| 50+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.75 EUR |
| 500+ | 2.28 EUR |