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WNSC2D30650WQ

WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors

WNSC2D30650W.pdf Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 275 Stücke:
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Technische Details WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WNSC2D30650WQ WNSC2D30650WQ Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D30650W.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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WNSC2D30650WQ Hersteller : WeEn Semiconductors WNSC2D30650W-2940666.pdf Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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