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Technische Details XP10A250YT XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10A250 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP10A250YT nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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XP10A250YT | Hersteller : YAGEO XSemi |
 MOSFETs Dual N Channe l 100V 2.1A PMPAK-3x |
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XP10A250YT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3) |
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XP10A250YT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10A250 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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XP10A250YT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10A250YT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10A250 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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| XP10A250YT | Hersteller : X-Semi (YAGEO) |
Dual N-channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP10A250YT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3) |
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