Produkte > TOREX > XP222N03013R-G

XP222N03013R-G TOREX



Hersteller: TOREX
Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
672+0.37 EUR
834+0.27 EUR
1072+0.2 EUR
1478+0.14 EUR
2017+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 672 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details XP222N03013R-G TOREX

Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-323-3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP222N0301xx-G, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).