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XP2301GN

XP2301GN YAGEO XSemi

XP2301GN-3435736.pdf
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -20V -2. 5A SOT-23S
auf Bestellung 2760 Stücke:
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Technische Details XP2301GN YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.38W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP2301 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XP2301GN XP2301GN YAGEO XSEMI XP2301GN.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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XP2301GN XP2301GN YAGEO XSEMI XP2301GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
276+0.9 EUR
424+0.55 EUR
848+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
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XP2301GN XP2301GN YAGEO XSEMI XP2301GN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
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Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
400+0.58 EUR
820+0.26 EUR
841+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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XP2301GN
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
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250+1 EUR
400+0.58 EUR
820+0.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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