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XP231P02013R-G

XP231P02013R-G Torex Semiconductor Ltd

xp231p02013r.pdf
Hersteller: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details XP231P02013R-G Torex Semiconductor Ltd

Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-323-3A, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP231P0201xx-G, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XP231P02013R-G XP231P02013R-G TOREX 3155506.pdf Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
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XP231P02013R-G XP231P02013R-G TOREX 3155506.pdf Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.57 EUR
654+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
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XP231P02013R-G XP231P02013R-G Torex Semiconductor Ltd xp231p02013r.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
48+0.44 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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XP231P02013R-G XP231P02013R-G Torex Semiconductor TOSL_S_A0010062821_1-2575079.pdf MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A
auf Bestellung 5605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.5 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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XP231P02013R-G TOREX xp231p02013r.pdf GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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XP231P02013R-G TOREX xp231p02013r.pdf GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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XP231P02013R-G
Hersteller: TOREX
Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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885+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
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XP231P02013R-G 3155506.pdf
XP231P02013R-G
Hersteller: TOREX
Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP231P0201xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
435+0.57 EUR
654+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP231P02013R-G xp231p02013r.pdf
XP231P02013R-G
Hersteller: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+0.65 EUR
48+0.44 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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Hersteller: Torex Semiconductor
MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A
auf Bestellung 5605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.67 EUR
10+0.5 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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XP231P02013R-G xp231p02013r.pdf
Hersteller: TOREX
GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP231P02013R-G xp231p02013r.pdf
Hersteller: TOREX
GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH