XP2332GEN YAGEO XSEMI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 318+ | 0.79 EUR |
| 474+ | 0.49 EUR |
| 910+ | 0.24 EUR |
| 1064+ | 0.2 EUR |
| 1299+ | 0.17 EUR |
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Technische Details XP2332GEN YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP2332GEN nach Preis ab 0.25 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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XP2332GEN | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP2332GEN |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
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auf Bestellung 2876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 1 EUR |
| 400+ | 0.58 EUR |
| 820+ | 0.26 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |

