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XP234N08013R-G

XP234N08013R-G Torex Semiconductor

TOSL_S_A0010841514_1-2575007.pdf Hersteller: Torex Semiconductor
MOSFET N-CHANNEL 30V 0.8A
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Technische Details XP234N08013R-G Torex Semiconductor

Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-323-3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP234N0801xx-G, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

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XP234N08013R-G XP234N08013R-G Hersteller : TOREX XP234N08013R.pdf Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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XP234N08013R-G XP234N08013R-G Hersteller : Torex Semiconductor Ltd XP234N08013R.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3
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XP234N08013R-G XP234N08013R-G Hersteller : Torex Semiconductor Ltd XP234N08013R.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3
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