XP236N2001TR-G Torex Semiconductor Ltd
Hersteller: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details XP236N2001TR-G Torex Semiconductor Ltd
Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP23, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote XP236N2001TR-G nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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XP236N2001TR-G | Torex Semiconductor |
MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23 |
auf Bestellung 4743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP236N2001TR-G | Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP236N2001TR-G | TOREX |
Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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XP236N2001TR-G | TOREX |
Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| XP236N2001TR-G |
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Hersteller: Torex Semiconductor
MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23
MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.84 EUR |
| 10+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.15 EUR |
| 6000+ | 0.14 EUR |
| XP236N2001TR-G |
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Hersteller: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
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Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.94 EUR |
| 37+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| XP236N2001TR-G |
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Hersteller: TOREX
Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| XP236N2001TR-G |
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Hersteller: TOREX
Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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Produktpalette: XP23
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auf Bestellung 215 Stücke:
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