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XP2P053N

XP2P053N X-Semi (YAGEO)

id-6440883-xp2p053n.pdf
Hersteller: X-Semi (YAGEO)
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23S
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Technische Details XP2P053N X-Semi (YAGEO)

Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP2P053 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSemi XP2P053N.pdf MOSFETs P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
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XP2P053N XP2P053N YAGEO XSEMI XP2P053N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1.25W
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Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
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XP2P053N XP2P053N YAGEO XSEMI XP2P053N.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Produktpalette: XP2P053 Series
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