| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.8 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
| 24000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details XP2P053N YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP2P053 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP2P053N nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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XP2P053N | YAGEO XSEMI |
 Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P053 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP2P053N | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P053 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP2P053N |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
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Kanaltyp: p-Kanal
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SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 276+ | 0.9 EUR |
| 414+ | 0.56 EUR |
| 788+ | 0.27 EUR |
| 834+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| XP2P053N |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Produktpalette: XP2P053 Series
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SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23S
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Produktpalette: XP2P053 Series
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Kanaltyp: p-Kanal
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SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 1.19 EUR |
| 341+ | 0.68 EUR |
| 700+ | 0.31 EUR |
| 741+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |