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Technische Details XP3700YT YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3700 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP3700YT nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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XP3700YT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 |
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XP3700YT | Hersteller : XSemi |
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 |
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XP3700YT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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XP3700YT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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XP3700YT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 |
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