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XP3832CMT

XP3832CMT YAGEO XSemi

XP3832CMT.pdf
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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Technische Details XP3832CMT YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 3500 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3500µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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XP3832CMT XP3832CMT XSemi XP3832CMT-3132741.pdf MOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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XP3832CMT XP3832CMT YAGEO XSEMI XP3832CMT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 3500 µohm
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Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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