XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 263+ | 0.95 EUR |
| 381+ | 0.61 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 658+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details XP3N9R5AMT YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3N9R5A Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.
Weitere Produktangebote XP3N9R5AMT nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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XP3N9R5AMT | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 5W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3N9R5AMT | YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N9R5AMT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: XP3N9R5A Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 263+ | 0.95 EUR |
| 381+ | 0.61 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 658+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| XP3N9R5AMT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 1.96 EUR |
| 13+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |