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XP3N9R5AYT

XP3N9R5AYT YAGEO XSemi

XP3N9R5AYT.pdf
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
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Technische Details XP3N9R5AYT YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.57W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3N9R5A Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
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XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: XP3N9R5A Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
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