Produkte > YAGEO XSEMI > XP3N9R5AYT
XP3N9R5AYT

XP3N9R5AYT YAGEO XSemi

XP3N9R5AYT.pdf
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.95 EUR
10+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details XP3N9R5AYT YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3.57W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3N9R5A Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

Weitere Produktangebote XP3N9R5AYT nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT Description: MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
50+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
345+0.68 EUR
544+0.39 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
345+0.68 EUR
544+0.39 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT
XP3N9R5AYT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
50+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT.pdf
XP3N9R5AYT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
247+1.01 EUR
345+0.68 EUR
544+0.39 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP3N9R5AYT XP3N9R5AYT.pdf
XP3N9R5AYT
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
247+1.01 EUR
345+0.68 EUR
544+0.39 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH