| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.43 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
| 6000+ | 0.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details XP3NA3R4MT YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3NA3R4 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP3NA3R4MT nach Preis ab 1.42 EUR bis 3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP3NA3R4MT | YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
XP3NA3R4MT | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA3R4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
|
XP3NA3R4MT | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA3R4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| XP3NA3R4MT |
|
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3 EUR |
| 10+ | 2.48 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.42 EUR |
| XP3NA3R4MT |
|
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| XP3NA3R4MT |
|
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)