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XP3P010M

XP3P010M YAGEO XSemi


XP3P010M-3367869.pdf Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8
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Technische Details XP3P010M YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3P010 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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XP3P010M XP3P010M Hersteller : YAGEO XSEMI XP3P010M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
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XP3P010M XP3P010M Hersteller : XSEMI 3930955.pdf Description: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
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