XPH4R714MC,L1XHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - XPH4R714MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 132W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.