XPN3R804NC,L1XHQ(O TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN3R804NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3800 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.9 EUR |
| 130+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
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Technische Details XPN3R804NC,L1XHQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN3R804NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3800 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 100W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSON Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.
Weitere Produktangebote XPN3R804NC,L1XHQ(O nach Preis ab 1.29 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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XPN3R804NC,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPN3R804NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3800 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm |
auf Bestellung 3570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XPN3R804NC,L1XHQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN3R804NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3800 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Description: TOSHIBA - XPN3R804NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3800 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 52+ | 4.84 EUR |
| 80+ | 2.9 EUR |
| 130+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |