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XPQ1R00AQB,LXHQ(O TOSHIBA


4015103.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+22.76 EUR
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100+10.07 EUR
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Technische Details XPQ1R00AQB,LXHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 750W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: L-TOGL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm.

Weitere Produktangebote XPQ1R00AQB,LXHQ(O nach Preis ab 9.29 EUR bis 22.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XPQ1R00AQB,LXHQ(O XPQ1R00AQB,LXHQ(O TOSHIBA 4015103.pdf Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.76 EUR
16+13.76 EUR
50+10.98 EUR
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Description: TOSHIBA - XPQ1R00AQB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
auf Bestellung 2999 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
11+22.76 EUR
16+13.76 EUR
50+10.98 EUR
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