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XPQR8308QB,LXHQ(O TOSHIBA



Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
auf Bestellung 12059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.58 EUR
500+6.16 EUR
1000+6.05 EUR
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Technische Details XPQR8308QB,LXHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 750W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: L-TOGL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm.

Weitere Produktangebote XPQR8308QB,LXHQ(O nach Preis ab 6.05 EUR bis 17.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XPQR8308QB,LXHQ(O XPQR8308QB,LXHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 12059 Stücke:
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15+17.11 EUR
21+11.21 EUR
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XPQR8308QB,LXHQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQR8308QB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
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