YJL02N10A

YJL02N10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd


YJL02N10A.pdf Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details YJL02N10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER MV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 1.6A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 1.2W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.31Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 5.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Weitere Produktangebote YJL02N10A

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
YJL02N10A YJL02N10A Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL02N10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL02N10A YJL02N10A Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC16936FEF618BF&compId=YJL02N10A.pdf?ci_sign=2957408ffa694014da6d91c44af1615af30d1bc1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH