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YQ10RSM10SDTFTL1

YQ10RSM10SDTFTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=YQ10RSM10SDTF&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details YQ10RSM10SDTFTL1 Rohm Semiconductor

Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277A, Operating Temperature - Junction: 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

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YQ10RSM10SDTFTL1 YQ10RSM10SDTFTL1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=YQ10RSM10SDTF&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF
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YQ10RSM10SDTFTL1 YQ10RSM10SDTFTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=YQ10RSM10SDTF&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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YQ10RSM10SDTFTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor yq10rsm10sdtftl1-e.pdf Diode Schottky 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277A T/R Automotive AEC-Q101
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133+ 1.14 EUR
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YQ10RSM10SDTFTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor yq10rsm10sdtftl1-e.pdf Diode Schottky 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277A T/R Automotive AEC-Q101
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YQ10RSM10SDTFTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor yq10rsm10sdtftl1-e.pdf Diode Schottky 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277A T/R Automotive AEC-Q101
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