YQ20BGE10SDTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 3.07 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 162+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
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Technische Details YQ20BGE10SDTL ROHM
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 860mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote YQ20BGE10SDTL nach Preis ab 0.96 EUR bis 3.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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YQ20BGE10SDTL | ROHM |
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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YQ20BGE10SDTL | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable |
auf Bestellung 4820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| YQ20BGE10SDTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - YQ20BGE10SDTL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-252, 3 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.07 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 162+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| YQ20BGE10SDTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 3.14 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 25+ | 2.03 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 250+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |