YQ30NL10SETL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ30NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable
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| 500+ | 1.62 EUR |
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Technische Details YQ30NL10SETL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - YQ30NL10SETL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263L, 3 Pin(s), 860 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263L, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 860mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote YQ30NL10SETL nach Preis ab 1.64 EUR bis 4.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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YQ30NL10SETL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V |
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YQ30NL10SETL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - YQ30NL10SETL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263L, 3 Pin(s), 860 mV Bauform - Diode: TO-263L Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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YQ30NL10SETL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - YQ30NL10SETL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263L, 3 Pin(s), 860 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263L Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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YQ30NL10SETL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V |
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